基于γ51的电光调制器的可行性研究

摘要：

通过对不同晶系线性电光系数矩阵的分析计算,研究了利用晶体电光系数γ51实现电光调制的可能性.结果分析表明,在电场中的y51引起折射率的变化与x方向电场强度E21成正比;利用KTa0.35Nb0.65O3晶体的巨大γ51参数引起的二次电光效应,可以获得较低的半波电压;在立方-四方相变点附近的KTa1-xNbxO3晶体有极大克尔系数的现象,同时γ51参数电光效应也得到了解释.

关键词：电光调制器、晶体电光系数γ51、电光晶体、钽铌酸钾

所属期刊栏目：57

分类号：O436.4;O734+.1(光学)

资助基金：国家自然科学基金重大资助项目90923013;湖北省教育厅重点项目资助2009-176

在线出版日期：2011-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：79-82