Al膜平整度对硅基AAO有序度的影响

摘要：

利用真空电子束蒸发技术,通过改变Al的蒸发速率在P型<100>晶向的单晶硅片上制备了两种不同平整度的Al膜,在草酸中对它们分别进行一次阳极氧化,研究Al膜平整度对硅基AAO(多孔硅基氧化铝)有序度的影响.结果表明,硅基AAO的有序度对Al膜的平整度有很大的依赖性,硅基Al膜的平整度越高,所获得的硅基AAO的有序度就越好.另外,对平整度较差的Al膜进行二次阳极氧化可以显著地改善硅基AAO的有序度.

关键词：硅基AAO(多孔硅基氧化铝)、平整度、二次阳极氧化、有序度

所属期刊栏目：57

分类号：O611(无机化学)

资助基金：天津市自然科学基金09JCYBJC04400

在线出版日期：2011-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：38-42