Ho掺杂的BiFeO_3多铁陶瓷的制备及性能

摘要：

用固相反应和快速退火冷却法制备了纯的BiFeO_3(BFO)陶瓷和15%Ho掺杂的Bi_(0.85)Ho_(0.15)FeO_3(BHFO)陶瓷,研究了室温下陶瓷的品格结构及其铁电、介电、漏电和磁性能.结果表明,Ho掺杂有助于减少BiFeO_3陶瓷中的杂相,改善其铁电、介电、漏电和磁性能.与BFO陶瓷相比,BHFO陶瓷具有典型的电滞回线;当电场强度为1 50 kV/cm时,其2Pr(剩余极化值)为15 μC/cm~2.同时,BHFO具有比BFO显著增大的介电常数和明显降低的介电损耗.磁性能测试表明,BHFO陶瓷表现出弱的铁磁性.

关键词：BiFeO_3多铁陶瓷、Ho掺杂、铁电性、介电性、磁性

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分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展规划973计划2006CB932305;国家自然科学基金50872097

在线出版日期：2009-12-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：539-543