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10.3321/j.issn:1671-8836.2008.03.013

InAs/AlAs/GaAs量子点的光致发光光谱研究

引用
采用分子束外延技术生长InAs/AlAs/GaAs量子点,用透射电镜观察量子点的截面形貌,用光致发光光谱仪测试量子点的发光光谱.透射电子显微镜及光致发光光谱结果表明,量子点底部观察不到InAs浸润层,室温下样品的光致发光峰值波长达1.49 μm,为研制光纤通讯中的半导体量子点激光器提供了实验依据.

量子点、光致发光、透射电子显微镜、浸润层

54

O472+.3;TN304.051(半导体物理学)

国家自然科学基金资助项目60676036和10775106

2008-08-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

309-312

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武汉大学学报(理学版)

1671-8836

42-1674/N

54

2008,54(3)

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