InAs/AlAs/GaAs量子点的光致发光光谱研究

摘要：

采用分子束外延技术生长InAs/AlAs/GaAs量子点,用透射电镜观察量子点的截面形貌,用光致发光光谱仪测试量子点的发光光谱.透射电子显微镜及光致发光光谱结果表明,量子点底部观察不到InAs浸润层,室温下样品的光致发光峰值波长达1.49 μm,为研制光纤通讯中的半导体量子点激光器提供了实验依据.

关键词：量子点、光致发光、透射电子显微镜、浸润层

所属期刊栏目：54

分类号：O472+.3;TN304.051(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60676036和10775106

在线出版日期：2008-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：309-312