10.3321/j.issn:1671-8836.2008.01.011
离子注入法制备Si基量子点
利用离子注入法在Si(001)衬底上先后注入了In+和As-,注入能量分别为210,150 keV,注入剂量分别为6.2×1016,8.6×1016 cm-2,然后对样品经过退火处理制备出了量子点材料(为了避免沟道效应,注入角度选择为7°).用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,发现量子点的平均尺寸大小随退火温度和时间增加而增大.
量子点、离子注入、透射电子显微镜、退火
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TN304.051(半导体技术)
国家自然科学基金10775106;60676036
2008-05-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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