小富勒烯C28在Si(001)-c(2×1)表面吸附的密度泛函理论研究

摘要：

采用第一原理密度泛函理论方法研究了小富勒烯C28在Si(001)-c(2×1)表面的化学吸附机理.分析了吸附前后基底和富勒烯构型的变化、吸附能、电荷转移以及电子态密度.结果表明:C28与Si(001)表面具有很强的相互作用;基底和富勒烯分子发生了晶格松弛和结构扭曲;C28位于Si(001)表面沟渠位置的吸附构型最稳定,吸附能达到5.00 eV;Si(001)表面沉积C28后表面导电性能明显增强.

关键词：密度泛函理论、C28、Si(001)、化学吸附

所属期刊栏目：53

分类号：O472+.1(半导体物理学)

资助基金：中国地质大学青年基金CUGQNL0519

在线出版日期：2008-04-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：655-660