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10.3321/j.issn:1671-8836.2007.01.022

内调制光电探测器光生电压的模型分析

引用
针对栅压对内调制光电探测器耦合区的影响,以及横向发生的抽取效应对受光结的影响,从描述探测器的泊松方程、电流方程和连续性方程出发,通过计算输出电流Id,得出了内调制光电探测器受光结光生电压Vop与栅压Vg的函数关系式,并依此建立了模型,该模型与实验结果基本吻合.由于该模型采用了电路形式,可以用PSPICE等软件进行模拟,这为研究内调制光电探测器的内部性质提供了理论基础.

内调制、光生电压、抽取效应、模拟

53

O438;TN364(光学)

国家科技型中小企业技术创新基金00C26214210855;国家自然科学基金69607006

2007-04-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

89-92

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武汉大学学报(理学版)

1671-8836

42-1674/N

53

2007,53(1)

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