ZnO缓冲层上定向ZnO纳米杆阵列的制备

摘要：

利用Zn膜热氧化获得的非晶ZnO薄膜作为缓冲层,再采用Zn粉热蒸发工艺合成出定向、致密且直径较细(≈40 nm)的单晶ZnO纳米杆阵列,其阵列密度约为2.3×107mm-2.比较了在厚度不同的Zn膜所形成的ZnO缓冲层上生长的ZnO纳米杆形态,讨论了ZnO缓冲层表面形貌对ZnO纳米杆生长形态的影响.结果表明,随Zn膜厚度的增加,ZnO缓冲层从岛状大颗粒(0.5～1 μm)并伴有密集小颗粒(＜20 nm)状态变为连续薄膜,所得ZnO纳米杆从沿大颗粒表面无规则发散生长并伴小颗粒上的准定向生长转变成垂直于衬底的大面积定向生长,且纳米杆阵列也随着Zn膜厚度增加而变得定向、致密、和分布均匀.

关键词：氧化锌、缓冲层、纳米杆、定向性

所属期刊栏目：52

分类号：TN304.2+1;O782+.7(半导体技术)

资助基金：中国科学院资助项目10575078

在线出版日期：2006-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：319-322