用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷

摘要：

用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品.揭示出原生未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷,具有284 ps左右的寿命值.电子辐照能使这种缺陷的浓度增大,使平均寿命值从辐照前的265 ps增大到辐照后的268 ps.低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷GaSb.掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa,284 ps类型的缺陷.

关键词：GaSb、符合多普勒展宽、正电子湮没、电子辐照、缺陷

所属期刊栏目：52

分类号：O474(半导体物理学)

资助基金：中国科学院资助项目10375043;教育部重点实验室基金

在线出版日期：2006-04-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：35-39