10.3321/j.issn:1671-8836.2005.03.009
掺杂钴对锆钛酸铅铁电薄膜电性能的影响
ZT)铁电薄膜,实验发现钴掺杂对PZT的铁电性能产生了很大的影响.不掺杂的PZT铁电薄膜剩余极化强度Px=14.05μC/cm2,矫顽场Ec=26.35 kV/cm,而钴的掺杂有效地提高了PZT薄膜的剩余极化强度,当掺杂钴达到12%时,Pr=36.26μC/c.m2,矫顽场减小.同时,掺杂钴增强了PZT薄膜的介电性能并且减少了漏电流.
铁电薄膜、锆钛酸铅、电性能、溶胶-凝胶法
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TM223(电工材料)
国家高技术研究发展计划863计划2003BA310A28;湖北省教育厅科研项目D200560005
2005-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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