Inx Ga1-x N/GaN量子阱在时间分辨简并四波混频中的量子拍特性

摘要：

基于激光与物质相互作用的半经典理论,采用布洛赫方程,分析了在时间分辨简并四波混频条件下,InxGa1-xN/GaN量子阱中轻空穴激子和重空穴激子的量子相干特征.理论计算表明,时间分辨四波混频中的探测信号受时间调制,具有典型的量子拍特征,拍频周期随InxGa1-xN/GaN量子阱中In含量的增加而增大,当x=0.125时,拍频周期为120 fs,当x=0.25时,拍频周期为180 fs.信号的强度和振荡的幅值与阱材料的光学极化退相率有关,随着退相率的减小而显著增强,结合量子阱材料中的量子约束效应,对退相率和信号强度的关系进行了分析.

关键词：时间分辨四波混频、量子阱、量子拍、退相率

所属期刊栏目：51

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10474076

在线出版日期：2005-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：291-294