InAs量子点的结构及光学性质研究

摘要：

采用分子束外延技术在(001)GaAs衬底上生长了多层InAs量子点,原子力显微镜观测了生长在表面的量子点,用透射电子显微镜观察到五层量子点截面像,傅立叶变换光谱仪测试量子点光致发光谱.原子力显微镜以及透射电镜观察结果表明:第一层量子点为椭圆状;上面四层为透镜状量子点,呈现明显的垂直对准,且量子点的密度下降,大小趋向一致.样品中有些位置不同层的量子点连成一线,其边缘存在应力.由于第一层量子点与其他四层量子点的大小、形状不同,导致量子点光致发光峰的半高宽增加.

关键词：量子点、分子束外延、透射电子显微镜、光致发光

所属期刊栏目：51

分类号：O472+.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金90101002

在线出版日期：2005-04-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：47-50