射频溅射法制备掺杂SnO2纳米薄膜的研究

摘要：

采用射频反应溅射法在氧化处理后的单晶硅基片上制备SnO2纳米薄膜,并在薄膜中掺杂Sb和Pd用于改变薄膜的气敏特性.运用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对薄膜的结构和表面形貌进行分析.结果表明,SnO2薄膜具有四方金红石结构,适量掺杂对SnO2薄膜结构无影响;薄膜晶粒粒径小于150 nm,且粒径随退火温度的升高而增大.采用Debye-Scherrer简化公式计算了薄膜晶粒粒径,分析了计算值与SEM观测值之间产生误差的原因.经700 ℃的温度退火后,掺原子比Pd为2%和Sb为2%的薄膜对酒精气体具有很高的灵敏度.

关键词：射频溅射、SnO2纳米薄膜、表面形貌、气敏特性

所属期刊栏目：50

分类号：O484.5(固体物理学)

资助基金：湖北省自然科学基金2002AB0036

在线出版日期：2004-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：55-59