SnO2气敏薄膜的制作与性能研究

摘要：

采用射频溅射法制备了SnO2气敏薄膜,并在薄膜中掺杂Sb2O3 和Pt用于气敏薄膜的增敏.使用XRD对制备的薄膜进行了结构分析,测量了薄膜的吸收光谱和电阻,并研究了薄膜工艺条件的改变对薄膜结构和性能的影响.结果表明,不同退火温度下处理的氧化锡薄膜均为金红石结构,退火温度对薄膜的晶粒尺寸和电阻有较大影响:退火温度愈高,薄膜中形成的晶粒越完整,晶化程度愈高;电阻率随着退火温度的升高而降低,考虑到气敏薄膜的敏感性能,本文选取1 100 ℃为最佳退火温度.由于掺杂的影响,在氧化锡的禁带中产生了杂质能级,使薄膜对2 722 nm附近的红外光波产生了强烈吸收.

关键词：氧化锡薄膜、射频溅射、退火、红外光谱

所属期刊栏目：49

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：湖北省自然科学基金2002AB0036

在线出版日期：2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：613-616