慢正电子束注入多孔硅材料的Monte Carlo模拟

摘要：

建立了慢正电子束注入多孔硅材料的Monte Carlo模型,研究了在该材料中不同孔洞的直径、孔洞体积百分比对正电子几率分布的影响,得到了相应的正电子深度分布曲线.同时分析了不同能量正电子平均注入深度的分布,通过适当的标度,得到了统一描述正电子分布的公式,为慢正电子束对多孔材料的实验和理论研究提供有用的数据和计算模型.

关键词：慢正电子束、多孔硅、注入截面、Monte Carlo模型

所属期刊栏目：49

分类号：O572.32+2(原子核物理学、高能物理学)

资助基金：国家自然科学基金10075037

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：373-377