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10.3321/j.issn:1671-8836.2002.01.018

再论硅光伏探测器的响应度

引用
实验中发现部分硅光伏探测器在以光生电压为输出信号时,开路电压VOC存在异常现象.在一定强度的光照下VOC出现峰值,随后VOC随入射光强的上升而下降.本文对这种异常现象的规律进行了研究和分析,认为该现象的产生是由于在金属与半导体之间形成了整流接触,这也是导致器件响应度下降的重要原因.

硅光伏探测器、开路电压、并联电阻、串联电阻、整流接触

48

TN364(半导体技术)

湖北省武汉市科技攻关项目202120929

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

77-80

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武汉大学学报(理学版)

1671-8836

42-1674/N

48

2002,48(1)

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