InGaN/GaN量子阱动力学特征分析

摘要：

采用单量子阱近似模型，对InGaN/GaN量子阱中的激子和电子在导带子带间跃迁的光吸收效应进行了理论分析和数值计算.结果表明，In的含量对激子的能量影响较大，而量子阱宽度的变化也对激子的能量有着微调作用；导带中电子从基态至第一激发态跃迁的吸收峰比较明显；随着In的含量增加，量子阱中的激子能量间隔增大，吸收谱线的峰值位置会发生蓝移.

关键词：InGaN/GaN、量子阱、单量子阱近似模型、激子

所属期刊栏目：47

分类号：O46;TN3

资助基金：湖北省武汉市科技局科研项目991109188

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：327-330