未掺杂SI-InP中缺陷的正电子寿命研究

摘要：

在10～300 K 的温度范围内,测量了用液封直拉法(LEC)生长的n-InP经高温退火后形成的未掺杂SI-InP 晶体的正电子寿命谱. 用PATFIT和MELT两种技术分析了正电子寿命谱. 常温下的结果表明,SI-InP中存在铟空位VIn或与杂质的复合体缺陷. 观察到在10～220 K之间正电子的平均寿命τm随温度的升高而减小,表明上述缺陷是带负电荷的铟空位VIn的氢复合体;但是在低温下还存在正电子浅捕获态,浅捕获中心很可能是反位缺陷In2-P,因此在220～300 K范围内平均寿命τm随温度的升高而略有上升.

关键词：未掺杂SI-InP、正电子寿命、空位-杂质复合体

所属期刊栏目：46

分类号：O474(半导体物理学)

资助基金：中国科学院资助项目69576020

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：593-596