10.3321/j.issn:1671-8836.2000.01.032
用正电子研究Ⅲ-V族化合物半导体的缺陷谱
简要介绍了本科研组近年来用正电子湮没谱学研究Ⅲ-V族化合物半导体缺陷的最新进展.包括原生样品中缺陷的种类、大小、电荷态、负离子缺陷、缺陷与杂质的相互作用、辐照以及形变引入的缺陷等,研究表明.在原生半导体材料中存在各种缺陷.经过辐照和形变后有单空位、双空位及孔洞形成;在重掺杂材料中,空位还补偿载流子、使载流子发生饱和.
正电子湮没、半导体、缺陷
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O474(半导体物理学)
中国科学院资助项目69576020
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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