基于压电双晶片的测量薄膜应变的膨胀仪

摘要：

研制了一种基于压电双晶片的高灵敏度膨胀仪,它能够在较宽的频率范围内(1～103Hz),可靠、方便地测量自由状态下又薄又软的共聚物薄膜厚度方向的电场致应变.测试结果证明这种新型的膨胀仪在频率为100Hz时能探测低至0.1 nm的位移.最后测量了一种共聚物薄膜的电场致应变.

关键词：压电双晶片、共聚物薄膜、电场致应变、膨胀仪

所属期刊栏目：46

分类号：O482.41(固体物理学)

资助基金：中国科学院资助项目59973015;59943001;国家重点实验室基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：87-90