非晶GeO2-SiO2复合薄膜的制备及其红外吸收谱

摘要：

采用锗-硅复合靶射频反应溅射技术,制备了GeO2含量x=0%～81%的非晶GeO2-SiO2复合薄膜.用自动椭偏仪进行测量,得到复合氧化物薄膜中GeO2的含量,用傅里叶变换红外光谱仪测得此种薄膜的红外吸收谱随GeO2含量的变化关系,并讨论了其结构特征.

关键词：非晶、二氧化锗、二氧化硅、复合膜、红外谱

所属期刊栏目：46

分类号：O484.4;O484.5(固体物理学)

资助基金：中国科学院资助项目19834070;教育部科学技术研究项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：84-86