高开关频率SiC逆变器的控制程序执行时间优化
本文的背景项目是研制一台基于SiC MOSFET的高功率密度电动汽车用驱动逆变器.为实现高功率密度的目标,需充分发挥SiC器件高频、高速和高效的优异性能,但随之而来的是对逆变器其他组件带来的更高性能要求.以主控代码为例,当SiC器件的开关频率提升到50 kHz时,现有代码的执行时间已不能满足要求,成为制约控制频率上升的主要因素.要想发挥SiC器件的潜在优势,就要求在不减少原有功能的基础上,优化程序代码.本文以50kHz的控制频率为目标,综合使用函数转移到RAM中执行,函数重构,程序的交错执行等方法对基于TI的TMS320F28335的硬件平台的C语言控制程序进行优化,使得程序的总执行时间从基准代码的34.2μs减小到13.6μs,为基于SiC MOSFET的高功率密度变频器的研制做好软件上的准备.
DSP、TMS320F28335、SiC MSOFET、代码执行时间优化
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TM464(变压器、变流器及电抗器)
科技部新能源汽车试点专项“高温车用SiC器件及系统的基础理论与评测方法研究”2016YFB0100600
2017-05-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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