10.3969/j.issn.1001-6848.2010.07.011
双IGBT缓冲吸收电路研究
为提高电动汽车双向功率变换器的工作效率和使用寿命,提出双IGBT缓冲吸收电路.针对双RCD型缓冲吸收电路,详述了IGBT关断过程C-E端过电压产生的原因,给出了电路缓冲电容和电阻的确定方法,讨论了不同门极驱动电阻下电路的缓冲吸收效果,通过计算和实验调整确定了电路相关元件参数,指出了IGBT温升设计及其安装的注意事项.实验研究结果表明,双RCD型缓冲吸收电路可显著降低IGBT关断过电压,具有良好的缓冲吸收效果,可保证其安全性、可靠性和稳定性.
双IGBT、缓冲吸收、无感电容、温升
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TP271(自动化技术及设备)
教育部行动计划重点学科培植项目082222
2010-10-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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