一种三相逆变器损耗分析方法

摘要：

针对目前应用广泛的三相逆变器的功率损耗,提出了一种基于系统仿真的逆变器损耗分析方法.利用器件厂家提供的损耗特性曲线,推导出相应的器件损耗参数,利用简化的损耗模型计算功率模块损耗.仿真和实验结果表明,方法简单有效,通用性好,对绝缘栅双极晶体管(IGBT)和功率场效应晶体管(MOSFET)及其他半导体功率器件均适用.

关键词：逆变器、PWM、导通损耗、开关损耗、仿真、实验、电机控制

所属期刊栏目：42

分类号：TM301.2(电机)

在线出版日期：2009-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：49-52