无片外电容LDO的补偿方法研究

摘要：

无片外电容LDO器件无法通过片外电容提供频率补偿和瞬态稳压,为了弥补由此带来的器件在稳定性和瞬态特性上的缺陷,需要额外设计补偿电路.研究选用普通源极跟随器作为一种结构简单的缓冲器,作为补偿手段,以提高无片外电容LDO的功能表现.补偿电路通过SMIC 0.18 μm CMOS工艺实现,基于对普通源极跟随器的特性的理论分析,进一步设计出超级源极跟随器.通过理论分析与电路仿真,综合研究了无缓冲器、普通源极跟随器、超级源极跟随器三种情况对LDO特性的影响.

关键词：无片外电容LDO、瞬态特性、普通源极跟随器、超级源极跟随器

所属期刊栏目：44

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2023-11-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：9-12