高集成中央双向肖特基结型单管反相器研究

摘要：

针对传统CMOS反相器在某些领域中的局限性,提出一种基于高集成中央双向肖特基结型单管的反相器.新器件采用深浅组合肖特基势垒隧道晶体管制造方法,具有中央双向肖特基结结构,该结构可有效隔离源漏两侧半导体内载流子的互通,从而避免隧道电流导致的泄漏电流的产生,并且只需要一个晶体管即可实现反相器的基本功能.通过使用Silvaco TCAD对器件进行仿真,分析其工作情况并优化设计参数.仿真结果表明该设计能够实现反向器功能,且与传统CMOS反相器相比,具有更高的集成度和更低的功耗.

关键词：反相器、肖特基势垒、Silvaco TCAD仿真

所属期刊栏目：44

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2023-09-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：19-21