一种源漏缓冲浮栅型低漏电场效应晶体管

摘要：

为解决当前主流晶体管MOSFET的反向泄漏电流较大的问题,并对传统FINFET做进一步优化,提出一种源漏缓冲浮栅型的具有较低漏电的场效应晶体管.所设计出的双向开关装置具有低静态功耗和低反向泄漏电流,只需一个独立外部供电的栅电极就可控制器件的导通、关断和浮栅擦写功能.通过改变器件中浮栅注入的电荷类型以及半导体中的掺杂浓度,即可使器件工作在不同的模式下,还可使整个器件拥有更低的反向漏电流和更高的正向导通电流.整体结构相互对称,源漏可以互换,因此具有更好的兼容性.

关键词：鳍式场效应晶体管、浮栅、低漏电、低功耗

所属期刊栏目：44

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2023-09-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：15-18