关于具有双掺杂源漏的单晶体管同或门的研究

摘要：

为优化传统可重构场效应晶体管以改善器件的正向电流参数,提出一种双掺杂源漏可重构场效应晶体管.该器件可作为突触器件应用于二值神经网络的同或操作中.器件通过对源区和漏区进行重掺杂使其与金属源漏电极之间形成势垒更窄的欧姆接触,从而使器件的正向电流得到大幅提高.通过分析器件的结构及工作原理,仿真并对比传统RFET和所提出的DDSD-RFET的转移特性曲线,结果表明双掺杂源漏的设计可以有效提高器件的正向电流,同时减少反向截止电流.

关键词：可重构场效应晶体管、双掺杂源漏、同或门、高集成

所属期刊栏目：44

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2023-09-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：12-14