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10.3969/j.issn.1002-2279.2023.04.001

一种基于单壁碳纳米管网络的柔性场效应晶体管器件

引用
针对未来可穿戴电子设备对高性能柔性场效应晶体管的迫切需求,提出一种基于单壁碳纳米管网络的柔性场效应晶体管的制备方法,采用超柔的聚酰亚胺薄膜(PI)作为衬底,以具有高介电常数的氧化铪作为栅介质层,由一维碳纳米管搭建的网路状结构作为晶体管导电沟道.实验结果表明,在超柔PI衬底上,所制备柔性场效应晶体管表现出典型的P型导电特性,开关比达到 105 以上,具有良好的开关特性.所制备器件在 200次弯折之后,仍能表现出104 以上的高开关比,证明所制备柔性晶体管器件具有良好的耐弯折特性,具有应用于可穿戴电子器件的巨大潜力.

碳纳米管、柔性器件、场效应晶体管、电学特性

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TN386(半导体技术)

2023-09-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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