高低肖特基势垒无掺杂隧道场效应晶体管研究

摘要：

基于高低肖特基势垒机理提出一种无掺杂的隧道场效应晶体管HLSB-TFET.该器件只需要一个具有独立电源的栅电极且无需掺杂.在源极与中间硅区导带之间形成高肖特基势垒,用来产生隧道效应作为正向导通机制;在漏极与中间硅区导带之间形成低肖特基势垒,用于防止由热离子发射引起的空穴.所提出的HLSB-TFET对空穴具有自然的阻挡效应,不会随着漏极到源极电压的增加而显著降低.经过仿真验证,该器件的亚阈值摆幅较低,反向漏电与静态功耗均较小,体现出较高的应用优势.

关键词：肖特基势垒、双向隧道场效应晶体管、带间隧道、无掺杂器件

所属期刊栏目：44

分类号：TN386.3(半导体技术)

在线出版日期：2023-07-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：39-41