势垒高度对SB-MOSFET特性的影响研究

摘要：

在传统场效应晶体管的基础上,针对SB-MOSFET对金属功函数敏感的问题,设计了势垒高度对SB-MOSFET性能影响的实验并加以验证.实验中通过调整金属功函数、金属费米能级与半导体钉扎位置,实现势垒高度的改变.通过器件模拟和电学特性仿真,验证了势垒高度对器件转移特性的影响,并通过能带和电子浓度仿真对实验结论展开分析.实验表明,势垒高度增大,正向导通电流变小,反向泄漏电流不变,在此结论基础上进一步探讨SB-MOSFET避免离子注入等问题,有助于提高界面态质量,为MOSFET研究和大规模器件开发提供了新思路.

关键词：肖特基场效应晶体管、肖特基势垒高度、金属功函数

所属期刊栏目：44

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2023-07-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：35-38