超级结MOSFET特性仿真分析

摘要：

为实现硅基MOSFET功率器件低导通电阻和高击穿电压的折衷优化,在传统MOSFET漂移区中引入周期性排列的P区和N区,增加垂直分布的PN结结构,设计一种具有1200 V耐压的超级结MOSFET.基于对工作原理的分析,使用Silvaco TCAD软件建立结构模型,仿真该器件的电流-电压特性、转移特性以及耐压特性.由仿真结果归纳出所设计超级结MOSFET工作原理,并与传统MOSFET进行对比.实验结果显示该超级结MOSFET在诸多方面均存在优势,为新型硅基功率半导体器件的设计改进提供了新的思路.

关键词：超级结MOSFET、TCAD仿真、电流-电压特性、转移特性、耐压特性

所属期刊栏目：44

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2023-05-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：27-30