3D NAND flash存储器总剂量效应研究

摘要：

针对大容量NAND flash在空间环境应用时容易由总剂量诱发故障的问题,设计相关实验对3D NAND flash存储器样片进行辐照测试,研究其总剂量效应的发生规律.采用钴60γ射线源作为辐照源,以10 krad(Si)～80 krad(Si)条件进行辐照实验,找到3D NAND flash存储器的编程功能以及擦除功能开始出现故障时对应的总剂量程度,以及读取功能仍然正常的总剂量条件.研究重点关注位于上下边缘的层对总剂量的敏感度,以及由其导致的不同层之间的错误比特数"U"型曲线.围绕试验结果,对不同的辐照场景下主控芯片的设计及应用情况做了详细讨论.

关键词：3D NAND flash存储器、总剂量试验、错误比特数、参数退化

所属期刊栏目：44

分类号：TN406(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2023-05-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：19-22