10.3969/j.issn.1002-2279.2023.02.002
宽输入高抑制比带隙基准电路设计
为满足在高压宽输入电压条件下基准源的使用要求、提高电子产品的供电性能,基于华虹宏力0.18μm BCD工艺设计并实现一种宽输入高抑制比的带隙基准电路.在传统带隙基准电路基础上加以改进,利用电流源、稳压二极管与差分电路共同作用的结构来提高整体电路的稳定性和电源电压范围.利用Virtuoso工具Spectre进行仿真,实验结果表明所设计基准电压源能在较宽的电源电压范围内良好运行,实现了较为理想的精度和稳定性,适用于高压芯片的设计及电子设备中.
带隙基准、电源抑制比、0.18μm工艺
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TN402(微电子学、集成电路(IC))
国家重点研发计划;河南大学一流学科培育项目
2023-05-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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