双肖特基势垒型异或非可重构场效应晶体管研究

摘要：

为在现有RFET产品基础上寻求改进,设计提出一种高集成的双肖特基势垒型异或非可重构场效应晶体管(BSBRFET),不同于传统异或非门电路,只用单个晶体管即可实现异或非逻辑门功能.采用完全肖特基接触,屏蔽掉热电子发射电流,以带带隧穿电流作为正向导通机制;引入浮动源极来存储、积累电荷.遵循BSBRFET工作原理和输出特性一致性,在实验中对其异或非功能做出验证.与传统RFET相比,此器件能实现更低的亚阈值摆幅、更小的反向偏置电流、更高的开关电流比,在能够实现NXOR逻辑功能同时,对于提高输出特性一致性也具有优势.

关键词：可重构场效应晶体管、双肖特基势垒、异或非、带带隧穿

所属期刊栏目：43

分类号：TN386.3(半导体技术)

在线出版日期：2022-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：18-21