一种非易失性可重构场效应晶体管研究

摘要：

在传统可重构场效应晶体管基础上进行改进,提出一种非易失性浮动可编程栅极可重构场效应晶体管.设计引入非易失性电荷存储层作为浮动程序门,通过给浮动程序门加入一定的电荷,进一步促进正向导通并同时减小反向漏电流,在正常情况下只需要一个独立供电的控制门即可完成可重构要求.通过对比实验,分析电荷数量对转移特性的影响,获得正常工作下最理想电荷量.与传统器件相比,新设计实现了较低的亚阈值摆幅,在减小反向漏电时不会影响正向电流的大小,在实际应用中具有一定优势.

关键词：可重构场效应晶体管、非易失性、浮动程序门、MOSFET器件

所属期刊栏目：43

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2022-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：14-17