一种高集成双向隧穿场效应晶体管

摘要：

在现有矩形栅极U形沟道场效应晶体管与深肖特基势垒场效应晶体管的基础上,提出一种高集成双矩形栅极U形沟道双向隧穿场晶体管.新设计利用更高的肖特基势垒来最小化热电子发射电流,并采用矩形主栅极产生强大的带带隧穿电流作为正向电流的传导机制;引入一个矩形辅助栅极,以有效阻止反向偏置漏电流.新设计可在不使用掺杂工艺的情况下,获得更低的亚阈值摆幅、更小的反向漏电流、更高的Ion/Ioff比和更高的集成度,在更小的芯片面积上实现更优越的性能.

关键词：高集成、矩形栅极、肖特基势垒、带带隧穿

所属期刊栏目：43

分类号：TN302(半导体技术)

在线出版日期：2022-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：10-13