基于高肖特基势垒的高导通电流隧穿场效应晶体管

摘要：

为改善双边栅和辅助栅控制的高肖特基势垒隧穿场效应晶体管性能,提出一种基于高肖特基势垒的高导通电流隧穿场效应晶体管.新设计的硅体被刻蚀成U型结构,通过刻蚀硅体两侧形成垂直插入式源漏接触,将源漏电极插入U型硅体两侧垂直部分的一定高度,使源漏接触附近带带隧穿产生区的有效面积显著增加,从而实现更高的开态电流.通过实验,将新结构与HSB-BTFET比较,表明HOSC-HSB-BTFET结构可以实现更高的开态电流、更低的反向漏电流、更小的亚阈值摆幅和更高的开关电流比.

关键词：高肖特基势垒、高导通电流、U型栅、亚阈值摆幅

所属期刊栏目：43

分类号：TN386.3(半导体技术)

在线出版日期：2022-07-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：13-16