具有双括号栅的XNOR神经元突触研究

摘要：

为了对传统MOSFET晶体管做出优化以减小其短沟道效应和源漏穿通效应,基于肖特基势垒隧穿效应,提出一种具有记忆功能的高集成双括号栅与双栅共同控制型场效应晶体管.器件通过增大金属与体硅面积实现肖特基隧穿效应,具有集成度高、导通电流更高、亚阈值摆幅更低、漏电流更小等优点.通过分析器件结构原理与关键参数,对单个晶体管的转移特性曲线进行仿真,结果表明,通过改变两个控制栅极栅压可以实现异或非门逻辑功能.该器件可以作为高密度神经元突触器件应用在二进制神经网络中.

关键词：双括号形栅;隧穿效应;高集成;XNOR逻辑功能

所属期刊栏目：42

分类号：TN386.3(半导体技术)

在线出版日期：2021-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：25-28