一种基于高肖特基势垒的高性能隧穿场效应晶体管

摘要：

为提升隧穿场效应晶体管的正向导通性能,有效降低晶体管的体积,根据TFET与SB MOSFET的结构优势提出一种基于高肖特基势垒的高性能隧穿场效应晶体管.提出带有等号形主控制栅的中央辅助控制栅结构,利用肖特基势垒来阻挡反向漏电流的同时,在导通机制上尽可能提高电子势垒的高度来减少热电子发射电流的产生.通过增大体硅与源漏电极接触面积提升正向导通电流,并且在体硅中间增加中央控制辅助栅极以阻挡反向泄漏电流.仿真实验结果表明该种设计实现了更好的器件特性.

关键词：肖特基势垒;等号形主控制栅;中央辅助控制栅;高导通电流;Silvaco TCAD仿真

所属期刊栏目：42

分类号：TN386.3(半导体技术)

在线出版日期：2021-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：12-15