一种900V大功率MOSFET器件结构设计

摘要：

鉴于高压功率MOSFET器件在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点,为进一步挖掘其在武器装备体系中的关键性作用、更好地发挥其为电子及电机设备提供驱动的功能,设计并实现一款900 V大功率MOSFET器件.以VDMOS器件为例分析其基本结构、工作原理和主要参数,通过理论计算制定产品的外延层及栅氧等相关工艺参数,并对元胞尺寸进行了优化设计.终端结构采用场限环与场板相结合的技术,并进行模拟仿真.仿真结果符合预期,并依此给出最终设计版图.

关键词：高压MOSFET器件、VDMOS结构、外延层、TCAD仿真

所属期刊栏目：42

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2021-07-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：18-22