背照式CMOS图像传感器中氧化铝薄膜的研究

摘要：

为提高背照式图像传感器在减薄工艺后引入氧化铝钝化层的质量,从表面钝化及原子层淀积过程的原理分析出发,设计一套实验,详细考查了温度对薄膜形貌及均匀性的影响,验证反应物之一的三甲基铝的通入时间及生成物吹扫时间对薄膜表面粗糙度的改善效果,并对炉体不同区域形成薄膜的质量差异进行对比分析,总结其规律性.通过实验优化了工艺条件,在实际流片中得到了致密均匀的氧化铝薄膜,确保了器件的量产及可靠性.

关键词：背照式、原子层沉积、薄膜质量、氧化铝

所属期刊栏目：42

分类号：TN305;O484(半导体技术)

在线出版日期：2021-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：26-29