一种900 V大功率MOSFET的工艺仿真设计

摘要：

高压功率MOSFET器件由于其在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点应用十分广泛,是武器装备体系中不可或缺的关键基础元器件.以一款900 V大功率MOSFET器件为例,为分析其VDMOS基本结构、工作原理和主要参数,利用工艺仿真软件Silvaco和Synopsys设计一套仿真实验,对外延层材料选取、氧化和注入等重要工艺过程优化、掺杂区工艺条件确定,以及对器件的电学特性如击穿电压、阈值电压、器件输出特性等进行仿真,为相关产品的研制提供参考和保障.经实际流片及末测验证,该仿真设计能够实现预期目标.

关键词：高压MOSFET器件、VDMOS器件、半导体工艺、Silvaco仿真、Synopsys仿真

所属期刊栏目：42

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2021-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：14-17