重离子辐照下SDRAM存储器"固定位"错误研究

摘要：

对65 nm SDRAM存储器进行重离子试验,分析其出现"固定位"错误的地址分布规律性,并研究错误数量与辐射能量以及注量之间的关系.对辐照后样品采用不同温度和时长退火,分析不同参数设定对"固定位"错误恢复的影响.根据试验现象,围绕微剂量效应,分析"固定位"错误的产生机理.提出一种方法,通过三维堆叠的方式在SDRAM存储芯片下叠封一个加热芯片,利用加热退火使"固定位"错误消失,可有效解决SDRAM存储器在宇航环境下出现"固定位"错误却无法维修器件的问题.

关键词：重离子辐照试验、固定位错误、SDRAM存储器、微剂量、加热退火

所属期刊栏目：42

分类号：TN406;TP333.8(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2021-03-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：9-12