薄硅膜SOI器件辐射效应研究

摘要：

为适应SOI技术的发展,探索相关材料参数受辐射影响程度及器件的抗辐射性能,研究了不同硅膜厚度SOI器件的总剂量辐射效应.采用60Co作为辐射源,所选器件的辐射性能通过晶体管前栅和背栅的阈值电压漂移量进行表征.实验结果显示,所选的本单位SOI工艺的硅膜厚度必须大于205 nm才能保证器件的抗总剂量辐射能力,针对此结论利用TCAD软件进行仿真验证,归纳出相应的物理机制.对电路静态电流特性对总剂量辐射的敏感性也给出了相关的讨论与评估.

关键词：辐射、硅膜、FDSOI器件、阈值电压、静态电流

所属期刊栏目：41

分类号：TN386.1;TN432(半导体技术)

在线出版日期：2021-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4