碳化硅肖特基器件的氧化退火技术研究

摘要：

为顺应碳化硅肖特基器件制造工艺日益成熟的趋势,对作为关键工艺的氧化退火技术展开研究,优化SiC/SiO2的界面电学参数从而提升整个器件的性能.基于理论分析,探索表面晶向与掺杂浓度、氧化速率等参数的影响.通过在不同工艺条件下进行工艺实验,确立干-湿-干氧化条件及工艺,形成优化方案,确保得到优质氧化层.经实际检验,该方案可有效调控氧化速率,从而得到均匀、致密的氧化层以及优异的界面态密度,提升了碳化硅肖特基器件的成品率和可靠性,对碳化硅肖特基二极管的加工制备技术有重要的参考意义.

关键词：碳化硅、氧化退火、肖特基、半导体器件

所属期刊栏目：41

分类号：TN305.5(半导体技术)

在线出版日期：2020-11-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：14-16