具有双向开关特性的隧穿场效应晶体管

摘要：

基于带带隧穿原理,提出一种具有双向开关特性的隧穿场效应晶体管.不同于传统隧穿晶体管的PIN结构,新结构具有双向导通性,源漏区可互换,对反向泄漏电流有更好的抑制效果,同时具有低功耗和低亚阈值摆幅的优点.其对称的结构能更好兼容CMOS工艺,设计灵活性更好.通过Silvaco TCAD软件对器件3D结构进行I-V特性仿真,分析各器件参数改变对器件开关电流比(Ion-Ioff)、亚阈值摆幅(SS)、反向泄漏电流和正向导通电流等电学特性的影响,从而改善器件特性,优化器件结构.

关键词：隧穿场效应晶体管、带带隧穿、双向开关特性、低亚阈值摆幅

所属期刊栏目：41

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2020-09-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：5-9