10.3969/j.issn.1002-2279.2020.04.001
一种基于深肖特基势垒辅助栅控制的隧穿场效应晶体管
提出一种基于深肖特基势垒辅助栅控制的隧穿场效应晶体管,分析肖特基势垒高度对该器件的影响.该TFET的势垒比传统肖特基势垒晶体管更低,利用了深肖特基势垒来克服由隧穿产生的电流;通过最大化源漏与硅体接触界面处的正向导通电流,即带带隧穿电流,利用辅助栅电极有效地抑制反向漏电流.和传统SB MOSFET或者JL FETs相比,此器件能实现低亚阈值摆幅、更小的反向偏置GIDL电流、高开关电流比,并使导通电流大于普通的TFET;其对称结构也使其与MOSFET技术更加融合.
肖特基势垒、带带隧穿、肖特基势垒MOSFET、隧穿场效应晶体管
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TN386.3(半导体技术)
2020-09-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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