SOI抗辐射先进技术研究

摘要：

SOI以其独特的隔离埋层结构实现了器件、电路的全介质隔离,因此具有漏电小、电容小、免疫闩锁、响应快、功耗低等优点,在快速数字电路、抗辐射领域具有良好的应用基础.基于对SOI技术发展的前沿方案的介绍,探讨沟道应变技术以及薄埋层技术如何来优化PD SOI的浮体效应、自热效应,提高SOI的电路的速度,降低寄生效应以及功耗损失.SOI技术对现有成熟的CMOS技术具有很高的兼容性,发展可行性巨大,必将打破体硅的极限,引发硬件行业的重大革命.

关键词：SOI辐射、单粒子、总剂量、应变硅

所属期刊栏目：41

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2020-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：5-9