低功耗高性能的全MOS电压基准源设计

摘要：

设计了一种基于亚阈值技术的全MOS电压基准源,采用共源共栅结构来增大PSRR,使用MOS管代替电阻,优化温度特性,使电路中大部分MOS管工作于亚阈值区.基于0.18μm CMOS工艺进行设计、版图绘制、和前、后仿真,在后仿真中得出相关参数值.对各参数做出详细分析,包括:一定温度范围内的温度系数;常温下基准输出电压;不同电源电压条件下的线性调整率、基准源静态电流及功耗,并对不同频率下的电源电压抑制比进行了对比.实验结果表明达到了低功耗高性能的设计目标.

关键词：亚阈值、全MOS、电压基准源、低功耗

所属期刊栏目：41

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：北京信息科技大学教改项目2020JGYB41

在线出版日期：2020-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4